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      抛光硅片

      • 型号

      大小1英寸到4英寸不等,厚度0.2mm、0.4mm、1mm、1.2mm等不同厚度,单面抛光。

      1. 详细信息

      抛光硅片简介

      大小1英寸到4英寸不等,厚度0.2mm、0.4mm、1mm、1.2mm等不同厚度,单面抛光。

      抛光硅片参数及用途:

      参数类型

      Si技术指标

      产品尺寸

      1-4英寸

      生长方法

      直拉单晶(Cz)

      表面抛光

      单面抛光

      直径公差

      100.2±0.3mm

      掺杂类型

      掺杂剂(磷或硼)

      晶体取向

      100  111

      电阻率Ω

      0.0015 Ω.cm  0.001-0.5Ω.cm  1-10Ω.cm

      平整度TIR

      3um

      翘曲度TTV

      10um

      弯曲度BOW

      10um

      抛光粗糙度Ra

      0.5nm

      颗粒度Pewaferr

      <(for size0.3um

      厚度um

      请咨询

      用途

      用于微流控芯片光刻工艺模具工艺等同步辐射样品载体、LPCVD/PECVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRDSEM、AFM、红外光谱 荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体等诸多科研用途。


      标签:   硅片
      Ag亚游和Ag环亚